SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。 使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5900.pdf: 186537 bytes, checksum: 5f7da33128bc38c408c949feb841feb4 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董文甫;王启明;杨沁清;崔堑;周钧铭;黄绮.SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光,发光学报,1996,17(2):128 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
