Ni＋注入n-GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
在不同条件下退火的Ni~+注入n-GaP DLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据,对其中起源于Ni_(Ga)中心的DLTS峰作出了判断。 在不同条件下退火的Ni~+注入n-GaP DLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据,对其中起源于Ni_(Ga)中心的DLTS峰作出了判断。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5899.pdf: 249542 bytes, checksum: 9b17da4a6c98a89c83083ff1b440a998 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所;北京师范大学物理系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨锡震;陈晓白;李智;田强.Ni＋注入n-GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别,发光学报,1996,17(2):133 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
