GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。

报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。

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单位基金,国家自然科学基金

中科院半导体所;国家光电子工艺中心

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