异质结电荷注入晶体管


Autoria(s): 李桂荣; 郑厚植; 李月霞; 郭纯英; 李承芳; 张鹏华; 杨小平
Data(s)

1996

Resumo

通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19573

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104424

Idioma(s)

中文

Fonte

李桂荣;郑厚植;李月霞;郭纯英;李承芳;张鹏华;杨小平.异质结电荷注入晶体管,半导体学报,1996,17(3):203

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文