多量子阱光学波导中的模式截止
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
导出由两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程,并讨论了Si衬底上生长的应变Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱光波导的模式截止特性. 导出由两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程,并讨论了Si衬底上生长的应变Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱光波导的模式截止特性. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5872.pdf: 113812 bytes, checksum: 722ce96a3feb29102dc03a2c65e44e7a (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所;空军电讯工程学院 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘育梁;王启明;孙中禹.多量子阱光学波导中的模式截止,光学学报,1996,16(7):1017 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
