GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
研究了GaInAs/AlInAs n型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后，二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应 研究了GaInAs/AlInAs n型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后，二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5863.pdf: 155867 bytes, checksum: e26e06249952d272c7a109e51d3752a0 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所;马克斯普朗克固体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江德生;刘伟;张耀辉;张永航;Ploog K.GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究,固体电子学研究与进展,1996,16(2):121 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
