MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
采用低温荧光光谱测试方法，研究了MBE生长的轻掺硅GaAs材料的杂质特性，并结合Hall测量结果，讨论了MBE关键生长条件V/II束流比等对Si在GaAs中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Si在GaAs中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高V/II束流比可以抑制Si的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于10~(13) cm~(-3)，77 K下迁移率大于1.6 X 10~5cm~2/V.s的高纯、高迁移率GaAs材料。 采用低温荧光光谱测试方法，研究了MBE生长的轻掺硅GaAs材料的杂质特性，并结合Hall测量结果，讨论了MBE关键生长条件V/II束流比等对Si在GaAs中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Si在GaAs中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高V/II束流比可以抑制Si的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于10~(13) cm~(-3)，77 K下迁移率大于1.6 X 10~5cm~2/V.s的高纯、高迁移率GaAs材料。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5862.pdf: 262769 bytes, checksum: 306cba8074857e37def77aa33c5f5298 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
牛智川;黎健.MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究,固体电子学研究与进展,1996,16(2):133 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
