MPS结构中的光生伏特现象
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
报道了金属/多孔硅/结构(MPS)中光生伏特效应研究的最新结果,给出了该结构的光谱响应曲线,发现该结构在1100-350nm波长范围具有明显的光谱响应.还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系,发现开路电压随温度的降低近似线性增加,其温度系数对于金/多孔硅结构约为2.0mV/K,对于铝/多孔硅结构约为2.8mV/K,与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近,但MPS结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系.结果表明,在MPS结构中金属/多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用,而多孔硅/单晶硅异质结的作用是与此相反的. 报道了金属/多孔硅/结构(MPS)中光生伏特效应研究的最新结果,给出了该结构的光谱响应曲线,发现该结构在1100-350nm波长范围具有明显的光谱响应.还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系,发现开路电压随温度的降低近似线性增加,其温度系数对于金/多孔硅结构约为2.0mV/K,对于铝/多孔硅结构约为2.8mV/K,与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近,但MPS结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系.结果表明,在MPS结构中金属/多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用,而多孔硅/单晶硅异质结的作用是与此相反的. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5860.pdf: 391895 bytes, checksum: de2642a276570f49326e2a84b9881e44 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王燕;云峰;廖显伯;孔光临.MPS结构中的光生伏特现象,物理学报,1996,45(10):1615 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
