纳米硅薄膜中的量子点特征
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论. 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:03导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5858.pdf: 402944 bytes, checksum: 3e340ae50e9758b45de3e60db799d0c3 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子系 国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
何宇亮;余明斌;吕燕伍;戎霭伦;刘剑;徐士杰;罗克俭;奚中和.纳米硅薄膜中的量子点特征,自然科学进展,1996,6(6):700 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
