提高Si基材料高效率发光途径的探索

近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力.众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件.然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣.能带工程的应用可能将提供一条有望的途径.总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er~(3+)离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β-FeSi_2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展.同时对其未来的发展提出了若干设想与展望.

近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力.众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件.然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣.能带工程的应用可能将提供一条有望的途径.总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er~(3+)离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β-FeSi_2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展.同时对其未来的发展提出了若干设想与展望.

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zhangdi于2010-11-23 13:13:01导入数据到SEMI-IR的IR

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中科院半导体所