用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布

提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1-2个数量级，经严格校准的光电流相移测试，a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小，深态增加，引起了隙态重新分布。