硅双极晶体管的低温h_（FE）
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
低温下h_(FE)主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M。影响γ的是禁带收缩和基区费米能级。M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应。以上观点与实验结果基本相符合。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
薄仕群;林兆军.硅双极晶体管的低温h_（FE）,半导体学报,1997,18(6):454 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
