高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
Data(s) |
1997
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Resumo |
利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应谱。给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质。实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质Si和Sn的沾污。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
钱家骏;陈涌海;孙明方;王占国;林兰英.高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究,半导体学报,1997,18(4):246 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |