GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究


Autoria(s): 牛智川; 袁之良; 周增圻; 徐仲英; 王守武
Data(s)

1998

Resumo

报道了用MBE非平面生长方法制备的GaAs脊形量子线发光性特实验研究。低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19261

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104268

Idioma(s)

中文

Fonte

牛智川;袁之良;周增圻;徐仲英;王守武.GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究,半导体学报,1998,19(11):871

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文