含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱


Autoria(s): 王文利; 姬扬; 郑厚植
Data(s)

1998

Resumo

从基本的光跃迁理论出发,用半经典的线性色散模型,计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱。计算结果表明,当吸收系数取2×10~(-2)nm~(-1)时,在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰,并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽。这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19241

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104258

Idioma(s)

中文

Fonte

王文利;姬扬;郑厚植.含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱,半导体学报,1998,19(5):385

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文