含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱
Data(s) |
1998
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Resumo |
从基本的光跃迁理论出发,用半经典的线性色散模型,计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱。计算结果表明,当吸收系数取2×10~(-2)nm~(-1)时,在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰,并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽。这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
王文利;姬扬;郑厚植.含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱,半导体学报,1998,19(5):385 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |