半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究

应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(-1-11)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Burgers矢量为三个相同的<112>a/6。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后，这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。