多量子阱自电光效应器件及其负阻特性
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在I-V特性中存在光电流负微分电阻区。由这种多量子阱材料制备的自电效应器件(SEED)观察到明显的量子限制Stark效应。 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在I-V特性中存在光电流负微分电阻区。由这种多量子阱材料制备的自电效应器件(SEED)观察到明显的量子限制Stark效应。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5647.pdf: 327522 bytes, checksum: 2a4000b9e0cddfdddd8348b215b8c315 (MD5) Previous issue date: 1998 天津大学精密仪器与光电子工程学院;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈弘达;张以谟;郭维廉;吴荣汉;高文智;陈志标;杜云.多量子阱自电光效应器件及其负阻特性,天津大学学报,1998,31(2):211 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
