高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH_2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH_2形式存在于晶粒的界面。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郭晓旭;朱美芳;刘金龙;韩一琴;许怀哲;董宝中;生文君;韩和相.高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究,物理学报,1998,47(9):1542 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
