掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线。利用群对称理论指出9条谱线来自Er~(3+)中~4I_(13/2)到~4I_(15/2)光跃迁在T_d晶场下的分裂。Er~(3+)的第一激发态~4E_(13/2)最低能量的两个Stark能级为Γ_8,Γ_6(能量递增)，它们到基态~4I_(15/2)相应晶场Stark能级的允许辐射跃迁为9条谱线。硅

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线。利用群对称理论指出9条谱线来自Er~(3+)中~4I_(13/2)到~4I_(15/2)光跃迁在T_d晶场下的分裂。Er~(3+)的第一激发态~4E_(13/2)最低能量的两个Stark能级为Γ_8,Γ_6(能量递增)，它们到基态~4I_(15/2)相应晶场Stark能级的允许辐射跃迁为9条谱线。硅

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zhangdi于2010-11-23 13:11:46导入数据到SEMI-IR的IR

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中科院半导体所