Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究
| Data(s) |
1998
|
|---|---|
| Resumo |
结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键，界面区很窄；450℃退火1h后，有少量元素态Al、Si原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；650℃退火1h后，界面发生强烈反应，有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后，除上述反应产物外又生成了Ti_2O。 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
岳瑞峰;王佑祥;陈春华;徐传骧.Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究,西安交通大学学报,1998,32(4):9 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
