氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
利用等离子增强化学气相沉积技术制备了一组含量不同的氢化非晶氧化硅(a-SiO_x:H)薄膜,室温下在550～900 nm的波长范围内观察到了两个强的发光带:一个是由峰位在670 nm(1.85 eV)左右的主峰和峰位在835 nm(1.46 eV)的伴峰组成的包络,另一个只能在氮气氛中1170℃退火后的样品中观测到,峰位大约在850 nm。通过对红外谱和微区Raman谱的分析,认为这二个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
马智训;廖显伯;程文超;岳国珍;王永谦;何杰;孔光临.氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究,中国科学. A辑，数学 ,1998,28(6):555 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
