氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。 采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5614.pdf: 113733 bytes, checksum: 265faa4467a464901c08d46a6be4ac8b (MD5) Previous issue date: 1998 北京有色金属研究总院;北京电子显微镜开放实验室;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王敬;屠海令;刘安生;张椿;周旗钢;朱悟新;高文;李建明.氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察,中国有色金属学报,1998,8(4):626 |
| Palavras-Chave | #半导体化学 |
| Tipo |
期刊论文 |
