掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
该文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性。富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长，室温下离子注入铒，经过800℃，5min的退火，在10－～300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光。发光强度随温度升高下降，其温度猝灭激活能为14.3meV。发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有T_d对称性。 该文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性。富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长，室温下离子注入铒，经过800℃，5min的退火，在10－～300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光。发光强度随温度升高下降，其温度猝灭激活能为14.3meV。发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有T_d对称性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5610.pdf: 210429 bytes, checksum: 4bb19e330af79e1acee1e730744ff5e4 (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
雷红兵;杨沁清;朱家廉;王红杰;高俊华;王启明.掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光,半导体学报,1999,20(1):67 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
