InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
该文研究了以InAlGaAs作垒层的InAlGaAs/GaAs量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积(LP-MOCVD)生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决InGaAs和AlGaAs在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的InAlGaAs/GaAs量子阱材料。同时用X光和低温光致发光(PL)谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层InAlGaAs的质量。 该文研究了以InAlGaAs作垒层的InAlGaAs/GaAs量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积(LP-MOCVD)生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决InGaAs和AlGaAs在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的InAlGaAs/GaAs量子阱材料。同时用X光和低温光致发光(PL)谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层InAlGaAs的质量。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5525.pdf: 302004 bytes, checksum: bab10841eedd8cd3d43a2cef3e995dae (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所国家光电子工艺中心 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑联喜;胡雄伟;韩勤.InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性,半导体学报,1999,20(4):265 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
