GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5523.pdf: 204352 bytes, checksum: a9d8b0371a0fa5583f514b3dabf95158 (MD5) Previous issue date: 1999 国家九五计划 中科院半导体所 国家九五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘学锋;王玉田;刘金平;李建平;李灵霄;孙殿照;孔梅影;林兰英.GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管,半导体学报,1999,20(4):287 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
