流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运

研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同。当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至E_(Γ1)子能级和E_(Γ2)子能级中间或更低能量位置时，未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转 变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩，反而稍有变宽。同时，平台电流随压力增大而增加，直到与E_(Γ1)-E(Γ1)共振峰电流相当。认为，由于垒层很薄，Γ电子隧穿通过垒层的几率很高，E_(Γ1)-E_(Γ1)共振峰显著高于E_(Γ1)-E_(X1)共振峰，因此，高场畴区内的输运机制在压力下仍由Γ-Γ级联共振隧穿控制。但由于X子级能随压力升高而降低，导致隧穿通过Γ-X垒的几率增加，非共振背景电流增大。由于电流连续性条件的要求，高场区的电场强度增强，导致在高压力下平台宽度随压力稍微变宽。