硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
实验研究表明热生长13nm薄SiO_2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很关系。氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO_2的可靠性；氧化前用NH_4OH/H_2O_2/H_2O(0.05:2:5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO_2可靠性很有效；用H_2SO_4/H_2O_2(3:1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之间增加比例为0.05:2:5或1:2:5的NH_4OH/H_2O_2/H_2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好。另外，薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗液种类关系不大，电离辐射对薄栅介质击穿特性的影响不明显。 实验研究表明热生长13nm薄SiO_2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很关系。氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO_2的可靠性；氧化前用NH_4OH/H_2O_2/H_2O(0.05:2:5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO_2可靠性很有效；用H_2SO_4/H_2O_2(3:1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之间增加比例为0.05:2:5或1:2:5的NH_4OH/H_2O_2/H_2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好。另外，薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗液种类关系不大，电离辐射对薄栅介质击穿特性的影响不明显。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:15导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5515.pdf: 340394 bytes, checksum: 6820f09dc05bd16fb269a5d66f0a14f8 (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高文钰;刘忠立;和致经;于芳;梁桂荣;李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响,半导体学报,1999,20(5):383 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
