金属/绝缘层/硅（MIS）隧道二极管的发光机理
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
金属/绝缘层/硅(MIS)隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元(SPP)与界面粗糙度的耦合。电流－电压特性曲线中6.5V附近的一个负阻和发射光谱中475nm的峰显示，在硅/二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
俞建华;孙承休;高中林;魏同立;王启明.金属/绝缘层/硅（MIS）隧道二极管的发光机理,半导体学报,1999,20(5):421 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
