Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀

该文报道了一种改进本征吸杂技术－－低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果，在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉(CZ)重掺N型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后IC器件工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心。从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理。