GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的。激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和InAs层厚度有关。利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好。该文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法。 用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的。激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和InAs层厚度有关。利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好。该文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5509.pdf: 142174 bytes, checksum: f0e52a188a0b2cad3d0d527c11e1f836 (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所;香港科技大学物理系 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐仲英;王建农;王玉琪;葛惟锟;李晴;李树深.GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法,半导体学报,1999,20(6):488 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
