浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入，经H_2/N_2混合气氛下的快速退火，结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。

利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入，经H_2/N_2混合气氛下的快速退火，结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。

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国家863计划

中科院半导体所;北京师范大学低能核物理所

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