氮化镓缓冲层生长过程分析
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型，解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。 研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型，解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5505.pdf: 303362 bytes, checksum: a2fa604cd6a51281191e50cb9ad645d7 (MD5) Previous issue date: 1999 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;汪连山;陆大成;王晓晖;汪度;林兰英.氮化镓缓冲层生长过程分析,半导体学报,1999,20(7):529 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
