氮化镓缓冲层的物理性质
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5499.pdf: 325079 bytes, checksum: d046404a0d073ec344904e3cc01f1352 (MD5) Previous issue date: 国家863计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;汪连山;陆大成;王晓晖;汪度;林兰英.氮化镓缓冲层的物理性质,半导体学报,1999(8,633(0): |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
