图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅-氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴(Co)离子，并生长硅化钴薄膜。扫描俄歇微探针(SAM)和X光电子能谱(XPS)测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象。很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长。 报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅-氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴(Co)离子，并生长硅化钴薄膜。扫描俄歇微探针(SAM)和X光电子能谱(XPS)测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象。很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5477.pdf: 327822 bytes, checksum: 4cf083e4d44cfb421e67f8df2a59769b (MD5) Previous issue date: 1999 国家八五计划 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 国家八五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴正龙;姚振钰;刘志凯;张建辉;秦复光;林兰英.图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究,半导体学报,1999,20(11):1010 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
