GSMBE原位生长SiGeHBT材料


Autoria(s): 黄大定; 刘金平; 李建平; 林燕霞; 刘学锋; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
Data(s)

1999

Resumo

国家九五计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18853

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104064

Idioma(s)

中文

Fonte

黄大定;刘金平;李建平;林燕霞;刘学锋;李灵霄;孙殿照;孔梅影;林兰英.GSMBE原位生长SiGeHBT材料,半导体学报,1999,20(12):1049

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文