CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响


Autoria(s): 额尔敦朝鲁; 肖景林; 李树深
Data(s)

2000

Resumo

采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质影响,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律。对CdF_2半导体,计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献。

中科院激发态物理开放实验室基金,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18819

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104047

Idioma(s)

中文

Fonte

额尔敦朝鲁;肖景林;李树深.CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响,半导体学报,2000,21(3):225

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文