掺铒硅光致发光激子传递能量机制
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
铒离子在硅中呈现弱施主特性，O、Er双掺杂提高施主浓度两个数量级。氧杂质与铒离子形成复合体，其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道。提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型，建立了发光动力学速率方程，并进行了详细推导。发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关。指出铒离子－束缚激子复合体的热离体和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因。拟合PL测量实验结果表明 铒离子在硅中呈现弱施主特性，O、Er双掺杂提高施主浓度两个数量级。氧杂质与铒离子形成复合体，其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道。提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型，建立了发光动力学速率方程，并进行了详细推导。发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关。指出铒离子－束缚激子复合体的热离体和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因。拟合PL测量实验结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:50导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5456.pdf: 390933 bytes, checksum: 89ca552b893b1f4dc0a06e6e4ee5bd91 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
雷红兵;杨沁清;欧海燕;余金中;王启明.掺铒硅光致发光激子传递能量机制,半导体学报,2000,21(3):232 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
