用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到 用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5454.pdf: 334738 bytes, checksum: c1dab7b94c4bd90554274e7f6f0e8f10 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所;国家光电子工艺中心 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
欧海燕;杨沁清;雷红兵;王红杰;余金中;王启明;胡雄伟.用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析,半导体学报,2000,21(3):260 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
