高质量立方相InGaN的生长
Data(s) |
2000
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Resumo |
利用LP-MOCVD技术在GaAs(001)衬底上生长了高质量的立方相InGaN外延层。研究了生长速率对InGaN质量的影响,提出一个简单模型解释了在改变TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合,由此推断,在现在的生长条件下,表面单个Ga原子作为临界晶核吸附Ga或In原子实现生长的模型与实际情况较为接近。对于晶体质量的变化也给予了说明。得到的高质量立方相InGaN室温下有很强的发光峰,光致发光峰半高宽为128meV左右。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
李顺峰;杨辉;徐大鹏;赵德刚;孙小玲;王玉田;张书明.高质量立方相InGaN的生长,半导体学报,2000,21(6):548 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |