MOCVD生长的InGaN合金的性质
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量。结果表明 对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量。结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5405.pdf: 335664 bytes, checksum: 441956d63544c226478195173422d10e (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
闫华;卢励吾;王占国.MOCVD生长的InGaN合金的性质,半导体学报,2001,22(2):166 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
