分布布拉格反射器（DBR）对半导体微腔一些特性的影响
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
从光学传输矩阵方法出发，研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响；同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。 从光学传输矩阵方法出发，研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响；同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5401.pdf: 218854 bytes, checksum: 1271b52551c5847538b2ae01a34f174e (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘宝利;王炳？;徐仲英.分布布拉格反射器（DBR）对半导体微腔一些特性的影响,半导体学报,2001,22(3):335 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
