采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
开展了使用TEOS和H_2O混合物进行PECVD生长SiO_2膜的研究工作。氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变。薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1.5%(51mm衬底)。利用TEOS源PECVD，并结合退火技术，摸索出厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜，可用于制备氧化硅平面波导器件。 国家自然科学基金,国家973计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
雷红兵;王红杰;邓晓清;杨沁清;胡雄伟;王启明;廖左升;杨基南.采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）,半导体学报,2001,22(5):543 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
