InGaN光致发光性质与温度的关系
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:31导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5394.pdf: 283329 bytes, checksum: a32d35a6fe270475c4248e6807c935d6 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
樊志军;刘祥林;万寿科;王占国.InGaN光致发光性质与温度的关系,半导体学报,2001,22(5):569 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
