玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好。量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份基本不变。研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关。量子点尺寸越小，比表面越大，该峰相对强度越大。 用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好。量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份基本不变。研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关。量子点尺寸越小，比表面越大，该峰相对强度越大。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:24导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5371.pdf: 366364 bytes, checksum: 61fabdaae20d692604fc82b052985771 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所;北京师范大学物理系 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江德生;李国华;韩和相;贾锐;孙宝权;王若桢;孙萍.玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质,半导体学报,2001,22(8):996 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
