MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的。 用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:22导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5366.pdf: 357425 bytes, checksum: 6e6497f94cf56be17c77183bdb5bd319 (MD5) Previous issue date: 2001 兵器科技预研基金 长春光学精密机械学院;中科院半导体所国家光电子工艺中心 兵器科技预研基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴根柱;张子莹;任大翠;张兴德.MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器,半导体学报,2001,22(8):1057 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
