分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术。将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm，其光致发光峰半峰宽只有22meV。研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器。对于100μm条宽和800μm腔长的激光器，最大线性输出功率达到200mW，斜率效率达到0.84mW/mA，最低阈值电流密度为450A/cm~2，特征温度达到90K。 国家自然科学基金,国家973计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
潘钟;李联合;徐应强;杜云;林耀望.分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）,半导体学报,2001,22(9):1097 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
