聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5363.pdf: 232094 bytes, checksum: ef5ec2c911f7a374b2bff0c75dbfad4e (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 南开大学光电子所;中科院半导体所;UNIAX Corporation 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
熊绍珍;赵颖;吴春亚;郝云;王跃;陈有素;杨恢东;周祯华;俞钢.聚合物发光器件中输运特性的模拟分析,半导体学报,2001,22(9):1176 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
