GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表明 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘文楷;林世鸣;武术;朱家廉;高俊华;渠波;陆建祖;廖奇为;邓晖;陈弘达.GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究,半导体学报,2001,22(9):1222 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
