高消光比偏振不灵敏电吸收调制器（英文）
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器，应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱，实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性，以及其高消光比(>40dB)和低电容(<0.5pF)，保证了器件可以应用于高速率的传输系统(>10GHz)。 用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器，应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱，实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性，以及其高消光比(>40dB)和低电容(<0.5pF)，保证了器件可以应用于高速率的传输系统(>10GHz)。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5359.pdf: 200677 bytes, checksum: 41945f67728196f6e69f571156681ea5 (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙洋;王圩;陈娓兮;刘国利;周帆;朱洪亮.高消光比偏振不灵敏电吸收调制器（英文）,半导体学报,2001,22(11):1374 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
