离子束外延生长半导体性锰硅化合物
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5356.pdf: 319491 bytes, checksum: 93b3e6372764c27d031b582d376e2226 (MD5) Previous issue date: 2001 国家973计划,国家攀登计划 中科院半导体所 国家973计划,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨君玲;陈诺夫;刘志凯;杨少延;柴春林;廖梅勇;何宏家.离子束外延生长半导体性锰硅化合物,半导体学报,2001,22(11):1429 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
